，三星电子周四宣布，将于本季度开始采用3GAE工艺量产这不仅标志着业界第一个3nm制造技术，也是第一个使用环栅场效应晶体管的节点

这是世界上第一个量产的GAA 3纳米工艺，将提高技术的领先地位，三星在一份报告中写道。

三星代工的3GAE制程技术是第一次使用GAA晶体管)工艺。

本站了解到，三星大约在三年前正式推出了其3GAE和3GAP工艺节点当该公司描述使用其3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时，它取出了大量数据

三星表示，这一工艺将实现30%的性能提升，50%的功耗降低和高达80%的晶体管密度不过，三星的性能和功耗的实际结合效果如何，还有待观察

理论上，Gaafet与目前使用的Finfet相比有很多优势，比如大大降低了晶体管漏电流，挖掘了晶体管性能的潜在强度，这意味着更高的成品率和提高的生产率此外，根据应用材料公司最近的报告，砷化镓场效应晶体管还可以减少20%到30%的面积

当然，三星的3GAE只是早期的3nm级制造技术，3GAE将主要用于三星LSI，也可能用于SF的其他一两家alpha客户如果这些产品的产量和性能符合预期，那么我们很快就可以看到大量新产品出货

消息称，三星3nm GAA工艺的良率仍远低于客户要求，试产良率仅为20%。

三星3nm工厂即将开工，首款GAA工艺功耗将下降50%